Power-line communication dual line driver

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意法半导体

丝印：110；Package：PowerFLAT；N-channel 100 V, 5 mΩ typ., 107 A STripFET™ F7 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 dual side cooling package

Features • Among the lowest RDS(on) on the market • Excellent FoM (figure of merit) • Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity • High avalanche ruggedness Applications Switching applications Description This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench g

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意法半导体

High voltage fast-switching NPN power transistor

Description The device is manufactured using high voltage multi epitaxial planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a cellular emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. The device is design

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意法半导体

Automotive N-channel 40 V, 2.4 m廓 typ., 120 A STripFET??F6 Power MOSFET in a PowerFLAT??5x6 dual side cooling

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Power-line communication dual line driver

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电力线通信双线驱动器

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Package：24-VFQFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 电源管理 - 专用 描述：POWER-LINE COMMUNICATION DUAL LI

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汽车级N沟道40 V、2.4 mOhm典型值、120 A STripFET F6功率MOSFET，PowerFLAT 5x6双侧冷却封装

该器件是采用STripFET™ F6技术开发的N沟道功率MOSFET，具有新的栅极结构。因而，功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS（on）。 • 通过AEC-Q101认证 \n• 超低导通电阻 \n• 超低栅极电荷 \n• 高雪崩坚固性 \n• 低栅驱动功率损耗 \n• 侧面可焊性封装;

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Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN 400V 4A DPAK

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Package：24-VFQFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：集成电路（IC） 电源管理 - 专用 描述：POWER-LINE COMMUNICATION DUAL LI

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