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STLD128DNT4分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料
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厂商型号 |
STLD128DNT4 |
参数属性 | STLD128DNT4 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 400V 4A DPAK |
功能描述 | High voltage fast-switching NPN power transistor |
封装外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
文件大小 |
425.38 Kbytes |
页面数量 |
14 页 |
生产厂商 | STMicroelectronics |
企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
中文名称 | 意法半导体集团官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-7-2 22:58:00 |
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STLD128DNT4规格书详情
STLD128DNT4属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由意法半导体集团制造生产的STLD128DNT4晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
Description
The device is manufactured using high voltage multi epitaxial planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a cellular emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. The device is designed for use in lighting applications and low cost switch-mode power supplies.
Features
■ High voltage capability
■ Low spread of dynamic parameters
■ Very high switching speed
■ Large RBSOA
■ Integrated antiparallel collector-emitter diode
Applications
■ Electronic ballast for fluorescent lighting
■ Flyback and forward single transistor low power converters
产品属性
更多- 产品编号:
STLD128DNT4
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1V @ 400mA,2A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
250µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
8 @ 2A,5V
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 供应商器件封装:
DPAK
- 描述:
TRANS NPN 400V 4A DPAK
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
STM |
2016+ |
TO252 |
2500 |
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DPAK-3 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
DPAK-3 |
16900 |
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