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STLD125N4F6AG规格书详情
描述 Description
该器件是采用STripFET™ F6技术开发的N沟道功率MOSFET，具有新的栅极结构。因而，功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS（on）。
特性 Features
• 通过AEC-Q101认证
• 超低导通电阻
• 超低栅极电荷
• 高雪崩坚固性
• 低栅驱动功率损耗
• 侧面可焊性封装
技术参数
- 制造商编号
：STLD125N4F6AG
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 5x6 Dual Side Cooling
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：40
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.0035
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.003
- Drain Current (Dc)_max(A)
：120
- PTOT_max(W)
：130
- Qg_typ(nC)
：91
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
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