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STLD125N4F6AG	文件：300 bytes Page：1 Pages	汽车级N沟道40 V、2.4 mOhm典型值、120 A STripFET F6功率MOSFET，PowerFLAT 5x6双侧冷却封装; • 通过AEC-Q101认证 \n• 超低导通电阻 \n• 超低栅极电荷 \n• 高雪崩坚固性 \n• 低栅驱动功率损耗 \n• 侧面可焊性封装; 该器件是采用STripFET™ F6技术开发的N沟道功率MOSFET，具有新的栅极结构。因而，功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS（on）。\n\n	STSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	ST
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汽车级N沟道40 V、2.4 mOhm典型值、120 A STripFET F6功率MOSFET，PowerFLAT 5x6双侧冷却封装; • 通过AEC-Q101认证 \n• 超低导通电阻 \n• 超低栅极电荷 \n• 高雪崩坚固性 \n• 低栅驱动功率损耗 \n• 侧面可焊性封装;

该器件是采用STripFET™ F6技术开发的N沟道功率MOSFET，具有新的栅极结构。因而，功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS（on）。\n\n

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