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STL28N60DM2中文资料N沟道600 V、0.155 Ohm典型值、21 A MDmesh DM2功率MOSFET，PowerFLAT 8x8 HV封装数据手册ST规格书
STL28N60DM2规格书详情
描述 Description
This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
特性 Features
• Fast-recovery body diode
• Extremely low gate charge and input capacitance
• Low on-resistance
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt ruggedness
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STL28N60DM2
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 8x8 HV
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.175
- Drain Current (Dc)_max(A)
：21
- PTOT_max(W)
：190
- Qg_typ(nC)
：34
- Features
：Fast recovery diode
- Reverse Recovery Time_typ(ns)
：140
- Qrr_typ(nC)
：500
- Peak Reverse Current_nom(A)
：7.4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
PowerFLAT |
5000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
PowerFLAT-8x8-5 |
6900 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
PowerFLAT-8x8-5 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
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ST |
24+ |
PowerFLAT |
5000 |
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ST/意法半导体 |
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ST |
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PowerFLAT |
200 |
全新原装公司现货
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ST/意法半导体 |
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PowerFLAT-8x8-5 |
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ST |
1872+ |
PowerFLAT |
200 |
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ST |
23+ |
PowerFLAT |
200 |
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询价 |
