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STL20DN10F7中文资料Dual N-channel 100 V, 0.065 Ohm typ., 5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 double island数据手册ST规格书
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描述 Description
该器件使用ST专有的STripFET™技术的第七代设计规则，具有新的栅极结构。因而，功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)。
特性 Features
• N-沟道增强模式
• 与上一代相比，具有更低的面积值
• 100 ％额定雪崩
技术参数
- 制造商编号
：STL20DN10F7
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 5x6 double island
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：100
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.08
- Drain Current (Dc)_max(A)
：5
- PTOT_max(W)
：4
- Qg_typ(nC)
：9
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法 |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法 |
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SST |
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ST/意法半导体 |
24+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
30000 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 |
