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STL190N4F7AG规格书详情
描述 Description
This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
特性 Features
• Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
• Among the lowest RDS(on) on the market
• Excellent FoM (figure of merit)
• Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
• High avalanche ruggedness
• Wettable flank package
技术参数
- 制造商编号
：STL190N4F7AG
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 5x6 WF
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：40
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.002
- Drain Current (Dc)_max(A)
：120
- PTOT_max(W)
：127
- Qg_typ(nC)
：41
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
21+ |
PowerFlat?(5x6) |
3000 |
进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)!! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25 |
PowerFLAT-5x6-8 |
6000 |
原装正品 |
询价 | ||
ST |
21+ |
DFN |
296 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
22+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
6005 |
原装正品现货 可开增值税发票 |
询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
N/A |
20000 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 |
