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STL16N60M6数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

厂商型号 |
STL16N60M6 |
参数属性 | STL16N60M6 封装/外壳为8-PowerVDFN;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 600V POWERFLAT HV |
功能描述 | N沟道600 V、0.29 Ohm典型值、12 A MDmesh M6功率MOSFET,PowerFLAT 5x6 HV封装 |
封装外壳 | 8-PowerVDFN |
制造商 | ST STMicroelectronics |
中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-8 12:00:00 |
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STL16N60M6规格书详情
描述 Description
新型MDmesh™M6技术融合了众所周知的MDmesh™系列中SuperJunction MOSFET的最新技术。意法半导体在其上一代MDmesh™器件技术基础上构建了新型M6工艺, 不仅改进了RDS(on) 密度,同时提升了开关特性,为实现更高的应用效率提供了友好的用户体验。
特性 Features
• 减少开关损耗
• 与上一代相比,具有更低的RDS(on)
• 低栅极输入电阻
• 经过100%雪崩测试
• 稳压保护
简介
STL16N60M6属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的STL16N60M6晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 制造商编号
:STL16N60M6
- 生产厂家
:ST
- Package
:PowerFLAT 5x6 HV
- Grade
:Industrial
- VDSS(V)
:600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
:0.32
- Drain Current (Dc)_max(A)
:12
- PTOT_max(W)
:110
- Qg_typ(nC)
:15
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2511 |
PowerFLAT5x6HV |
16900 |
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ST(意法) |
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ST/意法 |
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8-PQFNHV |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
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PowerFLAT-5x6-HV-8 |
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ST/意法半导体 |
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ST |
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PowerFLAT5x6HV |
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