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STL16N60M6数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

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厂商型号

STL16N60M6

参数属性

STL16N60M6 封装/外壳为8-PowerVDFN;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 600V POWERFLAT HV

功能描述

N沟道600 V、0.29 Ohm典型值、12 A MDmesh M6功率MOSFET,PowerFLAT 5x6 HV封装
MOSFET N-CH 600V POWERFLAT HV

封装外壳

8-PowerVDFN

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-8 12:00:00

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STL16N60M6规格书详情

描述 Description

新型MDmesh™M6技术融合了众所周知的MDmesh™系列中SuperJunction MOSFET的最新技术。意法半导体在其上一代MDmesh™器件技术基础上构建了新型M6工艺, 不仅改进了RDS(on) 密度,同时提升了开关特性,为实现更高的应用效率提供了友好的用户体验。

特性 Features

• 减少开关损耗
• 与上一代相比,具有更低的RDS(on)
• 低栅极输入电阻
• 经过100%雪崩测试
• 稳压保护

简介

STL16N60M6属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的STL16N60M6晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :STL16N60M6

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :PowerFLAT 5x6 HV

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :600

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.32

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :12

  • PTOT_max(W)

    :110

  • Qg_typ(nC)

    :15

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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