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STL16N60M6中文资料N沟道600 V、0.29 Ohm典型值、12 A MDmesh M6功率MOSFET，PowerFLAT 5x6 HV封装数据手册ST规格书
| 厂商型号 |
STL16N60M6 |
| 参数属性 | STL16N60M6 封装/外壳为8-PowerVDFN；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个；产品描述：MOSFET N-CH 600V POWERFLAT HV |
| 功能描述 | N沟道600 V、0.29 Ohm典型值、12 A MDmesh M6功率MOSFET，PowerFLAT 5x6 HV封装 |
| 封装外壳 | 8-PowerVDFN |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-24 10:15:00 |
| 人工找货 | STL16N60M6价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
STL16N60M6规格书详情
描述 Description
新型MDmesh™M6技术融合了众所周知的MDmesh™系列中SuperJunction MOSFET的最新技术。意法半导体在其上一代MDmesh™器件技术基础上构建了新型M6工艺， 不仅改进了RDS(on) 密度，同时提升了开关特性，为实现更高的应用效率提供了友好的用户体验。
特性 Features
• 减少开关损耗
• 与上一代相比，具有更低的RDS(on)
• 低栅极输入电阻
• 经过100％雪崩测试
• 稳压保护
简介
STL16N60M6属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的STL16N60M6晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 制造商编号
：STL16N60M6
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 5x6 HV
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.32
- Drain Current (Dc)_max(A)
：12
- PTOT_max(W)
：110
- Qg_typ(nC)
：15
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-5x6-HV-8 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST |
1947 |
只做正品 |
询价 | ||||
22+ |
NA |
3000 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
25+ |
PowerFLAT-5x6-HV-8 |
6000 |
原厂原装 欢迎询价 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
QFN |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ST/意法 |
2023+ |
DFN5X6 |
1000 |
专注全新正品,优势现货供应 |
询价 | ||
ST |
22+ |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | |||
ST(意法) |
23+ |
15000 |
专业帮助客户找货 配单,诚信可靠! |
询价 | |||
ST/意法 |
23+ |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 |
