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STL18N65M2中文资料N沟道650 V、0.29 Ohm典型值、8 A MDmesh M2功率MOSFET，PowerFLAT 5x6 HV封装数据手册ST规格书
STL18N65M2规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• Extremely low gate charge
• Excellent output capacitance (Coss) profile
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STL18N65M2
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 5x6 HV
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：650
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.365
- Drain Current (Dc)_max(A)
：8
- PTOT_max(W)
：57
- Qg_typ(nC)
：21.5
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