首页>STL18NM60N>规格书详情
STL18NM60N中文资料N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 6 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in PowerFLAT(TM) 8x8 HV package数据手册ST规格书
STL18NM60N规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
技术参数
- 型号：
STL18NM60N
- 功能描述：
MOSFET N-channel 600 V 0.2 60 Ohm 6 A MDmesh II
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
22+ |
4PowerFlat? HV |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
PowerFLAT-8x8-HV-5 |
16900 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
DFN8X8 |
5000 |
原装正品实单必成 |
询价 | ||
ST/意法 |
2223+ |
DFN8X8 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-8x8-HV-5 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
22+ |
NA |
3000 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
23+ |
PowerFLAT-8x8-HV-5 |
16900 |
公司只做原装，可来电咨询 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ST/意法半导体 |
25+ |
PowerFLAT-8x8-HV-5 |
6000 |
原厂原装 欢迎询价 |
询价 |
