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STL18NM60N规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
技术参数
- 型号：
STL18NM60N
- 功能描述：
MOSFET N-channel 600 V 0.2 60 Ohm 6 A MDmesh II
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
21+ |
PowerFlat?(8x8) HV |
3000 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
25 |
PowerFLAT-8x8-HV-5 |
6000 |
原装正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
22+ |
PowerFLAT-8x8-HV-5 |
6005 |
原装正品现货 可开增值税发票 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
8968 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
PowerFLAT-8x8-HV-5 |
12700 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
PowerFLAT-8x8-HV-5 |
6000 |
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询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
N/A |
20000 |
询价 | |||
ST/意法 |
2223+ |
DFN8X8 |
26800 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-8x8-HV-5 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 |
