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STL19N60DM2中文资料N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package数据手册ST规格书
STL19N60DM2规格书详情
描述 Description
This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge and time (Qrr, trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
特性 Features
• Fast-recovery body diode
• Extremely low gate charge and input capacitance
• Low on-resistance RDS(on)
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt ruggedness
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STL19N60DM2
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 8x8 HV
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.32
- Drain Current (Dc)_max(A)
：11
- PTOT_max(W)
：90
- Qg_typ(nC)
：20
- Features
：Fast recovery diode
- Reverse Recovery Time_typ(ns)
：125
- Qrr_typ(nC)
：675
- Peak Reverse Current_nom(A)
：11
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-8x8-HV-5 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
22+ |
NA |
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ST/意法半导体 |
23+ |
PowerFLAT-8x8-HV-5 |
16900 |
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ST/意法半导体 |
25+ |
PowerFLAT-8x8-HV-5 |
10000 |
原装公司现货 |
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ST(意法) |
23+ |
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ST |
22+ |
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9000 |
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ST(意法) |
23+ |
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询价 | |||
ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-8x8-HV-5 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-8x8-HV-5 |
10000 |
原装公司现货 |
询价 |
