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STL19N60DM2	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package; • Fast-recovery body diode\n• Extremely low gate charge and input capacitance\n• Low on-resistance RDS(on)• 100% avalanche tested\n• Extremely high dv/dt ruggedness\n• Zener-protected; This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge and time (Qrr, trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.\n \n	STSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	ST
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STL19N60DM2

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N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package; • Fast-recovery body diode\n• Extremely low gate charge and input capacitance\n• Low on-resistance RDS(on)• 100% avalanche tested\n• Extremely high dv/dt ruggedness\n• Zener-protected;

This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge and time (Qrr, trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.\n \n

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STL19N60DM2

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Fast-recovery body diode

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STMICROELECTRONICS

技术参数

Package：
PowerFLAT 8x8 HV
Grade：
Industrial
VDSS(V)：
600
RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：
0.32
Drain Current (Dc)_max(A)：
11
PTOT_max(W)：
90
Qg_typ(nC)：
20
Features：
Fast recovery diode
Reverse Recovery Time_typ(ns)：
125
Qrr_typ(nC)：
675
Peak Reverse Current_nom(A)：
11

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技术参数

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