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STL13NM60N中文资料N沟道600 V、0.320 Ohm典型值、10 A MDmesh(TM) II功率MOSFET，PowerFLAT(TM) 8x8 HV封装数据手册ST规格书
STL13NM60N规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
技术参数
- 制造商编号
：STL13NM60N
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 8x8 HV
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.385
- Drain Current (Dc)_max(A)
：10
- PTOT_max(W)
：3
- Qg_typ(nC)
：30
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
25+ |
PowerFLAT8x8HV |
20300 |
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ST/意法半导体 |
2020+ |
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ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-8x8-5 |
10000 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
PowerFLAT-8x8-5 |
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ST/意法 |
24+ |
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全新原装现货 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
PowerFLAT-8x8-5 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
PowerFLAT-8x8-5 |
20000 |
现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
24+ |
PowerFLAT-8x8-5 |
16960 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
PowerFLAT-8x8-5 |
6000 |
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