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STH360N4F6-2中文资料N-channel 40 V, 180 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in H2PAK-2 package数据手册ST规格书
STH360N4F6-2规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6thgeneration of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.
特性 Features
Low gate charge
Very low on-resistance
High avalanche ruggedness
技术参数
- 型号：
STH360N4F6-2
- 制造商：
STMicroelectronics
- 功能描述：
POWER MOSFET - Tape and Reel
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
22+ |
TO-263 |
12500 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
HITACHI |
ROHS |
13352 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
ST/意法 |
23+ |
NA |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
ST/意法 |
14+ |
H2PAK |
4830 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST |
14+PBF |
H2PAK |
3508 |
现货 |
询价 | ||
ST |
23+ |
H2PAK |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
24+ |
N/A |
72000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
ST/意法 |
22+ |
N/A |
13000 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-263 |
60000 |
询价 |
