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STGP30V60DF

Lowthermalresistance

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STGP30V60F

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STGW30V60DF

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Trenchgatefield-stopIGBT,Vseries600V,30Averyhighspeed

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产品属性

  • 产品编号:

    STGWT30V60DF

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 15V,30A

  • 开关能量:

    383µJ(开),233µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    45ns/189ns

  • 测试条件:

    400V,30A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3P

  • 描述:

    IGBT 600V 60A 258W TO3P-3

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更多STGWT30V60DF供应商 更新时间2025-7-25 8:28:00