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S30V60T	文件：355.37 Kbytes Page：4 Pages	RectifierDiode	SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd 日本新电元工业株式会社	SHINDENGEN
SBP30V60CG	文件：1.2021 Mbytes Page：5 Pages	30ALOWVFSCHOTTKYRECTIFIER	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司	DYELEC
SBP30V60CK	文件：1.2021 Mbytes Page：5 Pages	30ALOWVFSCHOTTKYRECTIFIER	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司	DYELEC
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SBP30V60FCT	文件：1.2021 Mbytes Page：5 Pages	30ALOWVFSCHOTTKYRECTIFIER	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司	DYELEC
SRM30V60CT	文件：1.01149 Mbytes Page：4 Pages	TrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
SRM30V60CT	文件：1.03592 Mbytes Page：4 Pages	LowVFSchottkyRectifier	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE

产品属性

产品编号：
STGWT30V60DF
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.3V @ 15V，30A
开关能量：
383µJ（开），233µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
45ns/189ns
测试条件：
400V，30A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：
TO-3P
描述：
IGBT 600V 60A 258W TO3P-3

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