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GB20NC60V	文件：469.12 Kbytes Page：20 Pages	30A-600V-veryfastIGBT Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH™ processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features •Highfrequencyoperationupto50kHz •LowerCRES/CIESratio(nocross-conduction susceptibility) •Highcurrentcapa	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
GP20NC60V	文件：469.12 Kbytes Page：20 Pages	30A-600V-veryfastIGBT Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH™ processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features •Highfrequencyoperationupto50kHz •LowerCRES/CIESratio(nocross-conduction susceptibility) •Highcurrentcapa	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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GW20NC60VD	文件：303.17 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNEL30A-600VTO-247VeryFastPowerMESHIGBT DESCRIPTION Usingthelatesthighvoltagetechnologybasedonapatentedstriplayout,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofIGBTs,thePowerMESH™IGBTs,withoutstandingperformances.Thesuffix“V”identifiesafamilyoptimizedforhighfrequencyapplications. GeneralFeatures	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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STGB20NC60V	文件：407.05 Kbytes Page：16 Pages	30A-600V-veryfastIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGP20NC60V	文件：293.18 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNEL30A-600V-TO-220/TO-247VeryFastPowerMESHIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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