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STGD6M65DF2中文资料650 V、6 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT数据手册ST规格书
STGD6M65DF2规格书详情
描述 Description
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
特性 Features
• Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
• 6 μs of minimum short-circuit withstand time
• VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 6 A
• Tight parameter distribution
• Safer paralleling
• Positive VCE(sat) temperature coefficient
• Low thermal resistance
• Soft and very fast-recovery antiparallel diode
技术参数
- 制造商编号
：STGD6M65DF2
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VCES_max(V)
：650
- PTOT_max(W)
：88
- Freewheeling diode
：true
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
：6
- IC_max(@ Tc=25°C)(A)
：12
- IF_max(@ Tc=100°C)(A)
：6
- IF_max(@ Tc=25°C)(A)
：12
- VCE(sat)_typ(V)
：1.55
- VF_typ(V)
：2.2
- Qg_typ(nC)
：21.2
- Eon_typ(mJ)
：0.04
- Eoff_typ(mJ)
：0.2
- Err_typ(µJ)
：16
- Qrr_typ(nC)
：210
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
2022+ |
DPAK |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
24+ |
TO-252 |
2669 |
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ST(意法) |
24+ |
NA/ |
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ST |
22+ |
DPAK |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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ST/意法 |
22+ |
TO-252 |
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ST(意法) |
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NA |
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ST |
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DPAK-3 |
18000 |
原装正品 有挂有货 假一赔十 |
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SST |
原厂封装 |
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ST(意法) |
25+ |
TO-252 |
500000 |
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ST/意法 |
22+ |
TO-252 |
7500 |
原装正品 |
询价 |
