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STD86N3LH5中文资料汽车级N沟道30 V、0.0045 Ohm典型值、80 A STripFET H5功率MOSFET，DPAK封装数据手册ST规格书
STD86N3LH5规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics’ STripFET™ H5 technology. The device has been optimized to achieve very low on-state resistance, contributing to a FoM that is among the best in its class.
特性 Features
• Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
• Low on-resistance RDS(on)
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power losses
技术参数
- 制造商编号
：STD86N3LH5
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：30
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.0065
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.005
- Drain Current (Dc)_max(A)
：80
- PTOT_max(W)
：70
- Qg_typ(nC)
：14
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
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ST |
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ST/意法 |
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ST |
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