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STD85N10F7AG规格书详情
描述 Description
该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
特性 Features
• 专为汽车应用设计并通过AEC-Q101认证
• 处于市面上最低的 RDS(on)行列
• 出色的品质因数（FoM）
• 较低的 Crss/Ciss比值使得其具有更强的抗EMI能力
• 坚固的抗雪崩能力
技术参数
- 制造商编号
：STD85N10F7AG
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：100
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.01
- Drain Current (Dc)_max(A)
：70
- PTOT_max(W)
：85
- Qg_typ(nC)
：45
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-252-3 |
12700 |
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询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO252 |
20300 |
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询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-252-3 |
880000 |
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ST |
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TO-252 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
TO-252-3 |
6000 |
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ST |
25+ |
TO-252 |
2480 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
21+ |
DPAK |
2500 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
TO-252-3 |
30000 |
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ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
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