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STD85N10F7AG	文件：300 bytes Page：1 Pages	汽车级N沟道100 V、0.0085 Ohm典型值、70 A STripFET F7功率MOSFET，DPAK封装该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。 • 专为汽车应用设计并通过AEC-Q101认证 \n• 处于市面上最低的 RDS(on)行列 \n• 出色的品质因数（FoM） \n• 较低的 Crss/Ciss比值使得其具有更强的抗EMI能力 \n• 坚固的抗雪崩能力;	ST 意法半导体	ST
STD85N10F7AG	文件：986.49 Kbytes Page：16 Pages	High avalanche ruggedness 文件：986.49 Kbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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更多STD85N10F7AG供应商更新时间2025-10-5 14:14:00