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STD5NB20	文件：53.26 Kbytes Page：5 Pages	N - CHANNEL 200V - 0.70ohm - 5A DPAK PowerMESHO MOSFET DESCRIPTION Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pending strip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per a 文件：53.26 Kbytes 页数：5 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD5NB20	文件：300 bytes Page：1 Pages	N - CHANNEL 200V - 0.70ohm - 5A DPAK PowerMESHO MOSFET	ST 意法半导体	ST
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详细参数

型号：
STD5NB20
功能描述：
MOSFET USE 511-STD5N20
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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