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STTO251

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STD5NE10T4

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STD5NE10MOS(场效应管)

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VBsemiTO252

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VBsemi/台湾微碧TO252

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深圳市佳鑫美电子科技有限公司

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VBsemiTO252

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VBsemi/台湾微碧TO252

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原厂渠道 可含税出货，支持一站式配单

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ADITO-252

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STD5NE10

VBsemi/台湾微碧TO252

20000

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艾睿（深圳）半导体有限公司

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STTO-252

100500

2447

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深圳市威尔健半导体有限公司

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ST/意法TO-252

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STD5NE10

STTO-252(DPAK)

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STD5NE10

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STD5NE10LT4功能描述:MOSFET N-Ch 100 Volt 5.0Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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