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STD4NK60ZT4中文资料N沟道600 V、1.7 Ohm典型值、4 A SuperMESH功率MOSFET,DPAK封装数据手册ST规格书

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厂商型号

STD4NK60ZT4

功能描述

N沟道600 V、1.7 Ohm典型值、4 A SuperMESH功率MOSFET,DPAK封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-11-19 16:23:00

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STD4NK60ZT4规格书详情

特性 Features

• 100% avalanche tested
• Gate charge minimized
• Very low intrinsic capacitance
• Zener-protected

技术参数

  • 制造商编号

    :STD4NK60ZT4

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :DPAK

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :600

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :2

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :4

  • PTOT_max(W)

    :70

  • Qg_typ(nC)

    :18.8

  • Reverse Recovery Time_typ(ns)

    :400

  • Peak Reverse Current_nom(A)

    :8.5

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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