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STD4NK60Z-1中文资料N沟道600 V、1.7 Ohm典型值、4 A SuperMESH功率MOSFET，IPAK封装数据手册ST规格书
STD4NK60Z-1规格书详情
特性 Features
• 100% avalanche tested
• Gate charge minimized
• Very low intrinsic capacitance
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STD4NK60Z-1
- 生产厂家
：ST
- Package
：IPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：2
- Drain Current (Dc)_max(A)
：4
- PTOT_max(W)
：70
- Qg_typ(nC)
：18.8
- Reverse Recovery Time_typ(ns)
：400
- Peak Reverse Current_nom(A)
：8.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
22+ |
TO-251-3 |
12056 |
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ST/意法 |
24+ |
IPAK |
3800 |
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ST/意法 |
11+ |
TO-251 |
176 |
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ST/意法 |
25+ |
TO-251 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-251-3 |
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ST(意法半导体) |
TO-251-3 |
4515 |
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询价 | |||
ST/意法 |
25+ |
TO-251 |
880000 |
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ST/意法 |
21+ |
TO-251-3 |
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ST/意法 |
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TO-251 |
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ST(意法) |
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NA |
20094 |
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