STD4N90K5数据手册ST中文资料规格书
STD4N90K5规格书详情
描述 Description
这款超高压N-沟道功率MOSFET采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此,在要求高功率密度和高效率的应用中,导通电阻显著降低,并具有极低的栅极电荷。
特性 Features
• 业界领先的低 RDS(on) x 面积
• 业界出色的品质因数(FoM)
• 极低的栅极电荷
• 经过100%雪崩测试
• 稳压保护
技术参数
- 制造商编号
:STD4N90K5
- 生产厂家
:ST
- Package
:DPAK
- Grade
:Industrial
- VDSS(V)
:900
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
:2.1
- Drain Current (Dc)_max(A)
:3
- PTOT_max(W)
:60
- Qg_typ(nC)
:5.3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
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ST(意法) |
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NA |
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ST |
22+ |
NA |
12500 |
原装正品支持实单 |
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ST/意法 |
22+ |
DAPK |
20000 |
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ST/意法 |
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TO-252 |
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24+ |
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ST/意法半导体 |
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ST(意法半导体) |
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DAPK |
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STMicroelectronics |
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ST |
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