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STD45P4LLF6AG中文资料汽车级P沟道-40 V、12 mOhm典型值、-50 A STripFET F6功率MOSFET，DPAK封装数据手册ST规格书
STD45P4LLF6AG规格书详情
描述 Description
This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
特性 Features
• Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
技术参数
- 制造商编号
：STD45P4LLF6AG
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：-40
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.02
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.015
- Drain Current (Dc)_max(A)
：-50
- PTOT_max(W)
：58
- Qg_typ(nC)
：65.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
2517+ |
TO-252 |
8850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
N/A |
8098 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ST/意法 |
21+ |
TO-252-3 |
2500 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-252-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-252 |
9000 |
原装正品,支持实单! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO252 |
20300 |
ST/意法原装特价STD45P4LLF6AG即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ST/实单來 |
24+ |
TO-252 |
622 |
市场最低 原装现货 假一罚百 可开原型号 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-252-3 |
12820 |
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询价 |
