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STD4LN80K5中文资料N沟道800 V、2.1 Ohm典型值、3 A MDmesh K5功率MOSFET,DPAK封装数据手册ST规格书
STD4LN80K5规格书详情
描述 Description
这款超高压N-沟道功率MOSFETs 采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此,在要求高功率密度和高效率的应用中,导通电阻显著降低,并具有极低的栅极电荷。
特性 Features
• 业界领先的低 RDS(on) x 面积
• 业界出色的品质因数(FoM)
• 极低的栅极电荷
• 经过100%雪崩测试
• 稳压保护
技术参数
- 制造商编号
:STD4LN80K5
- 生产厂家
:ST
- Package
:DPAK
- Grade
:Industrial
- VDSS(V)
:800
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
:2.6
- Drain Current (Dc)_max(A)
:3
- PTOT_max(W)
:60
- Qg_typ(nC)
:3.7
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
STM |
23+ |
TO-252-3 (DPAK) |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
ST/意法 |
21+ |
NA |
20000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
DAPK |
32000 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 | ||
ST/意法 |
2223+ |
TO-252-3 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
ST |
23+ |
NA |
16900 |
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询价 | ||
SST |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
ST/意法 |
22+ |
DPAK |
14100 |
原装正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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询价 | ||
ST |
25+ |
TO252 |
100 |
只做原装进口!正品支持实单! |
询价 |