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STD4NK100Z中文资料汽车级N沟道1000 V、5.6 Ohm典型值、2.2 A有齐纳管保护的SuperMESH功率MOSFET，DPAK封装数据手册ST规格书
STD4NK100Z规格书详情
描述 Description
This high-voltage device is a Zener-protected N-channel Power MOSFET developed using the SuperMESH technology by STMicroelectronics, an optimization of the well-established PowerMESH. In addition to a significant reduction in on-resistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.
特性 Features
• AEC-Q101 qualified
• 100% avalanche tested
• Gate charge minimized
• Very low intrinsic capacitance
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STD4NK100Z
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：1000
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：6.8
- Drain Current (Dc)_max(A)
：2.2
- PTOT_max(W)
：90
- Qg_typ(nC)
：18
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
NA |
6800 |
原装正品,力挺实单 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2024 |
TO-252 |
13453 |
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ST(意法) |
24+ |
N/A |
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询价 | ||
NA |
23+ |
NA |
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ST/意法 |
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TO252 |
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询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
原封装 |
52000 |
只做原装进口现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO252 |
9000 |
原装正品,支持实单! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 |
