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P3NC60FP	文件：108.21 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL600V-3.3ohm-3ATO-220/TO-220FPPowerMeshIIMOSFET ThePowerMESHIIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY™.ThelayoutrefinementsintroducedgreatlyimprovetheRonareafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gatechargeandruggedness.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STB3NC60	文件：94.35 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL600V-3.3ohm-3A-D2PAK/I2PAKPowerMESHIIMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD3NC60	文件：460.69 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL600V-1.8ohm-3.2ADPAK/IPAKPowerMesh?줚IMOSFET DESCRIPTION ThePowerMESH™IIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY™.ThelayoutrefinementsintroducedgreatlyimprovetheRon*areafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gatechargeandruggedness. ■TYPICALRDS(on)=1.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP3NC60	文件：108.21 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL600V-3.3ohm-3ATO-220/TO-220FPPowerMeshIIMOSFET ThePowerMESHIIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY™.ThelayoutrefinementsintroducedgreatlyimprovetheRonareafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gatechargeandruggedness.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP3NC60	文件：1.0913 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STP3NC60FP	文件：108.21 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL600V-3.3ohm-3ATO-220/TO-220FPPowerMeshIIMOSFET ThePowerMESHIIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY™.ThelayoutrefinementsintroducedgreatlyimprovetheRonareafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gatechargeandruggedness.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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