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STD12NF06-1	文件：963.88 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：963.88 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STD12NF06L	文件：323.2 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 60V - 0.08??- 12A - DPAK - IPAK STripFET??II Power MOSFET 文件：323.2 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD12NF06L_07	文件：323.2 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 60V - 0.08??- 12A - DPAK - IPAK STripFET??II Power MOSFET 文件：323.2 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD12NF06L-1	文件：323.2 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 60V - 0.08??- 12A - DPAK - IPAK STripFET??II Power MOSFET 文件：323.2 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD12NF06L-1	文件：963.88 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：963.88 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STD12NF06L-1	文件：1.33365 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.33365 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
STD12NF06LT4	文件：674.95 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：674.95 Kbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
STD12NF06LT4	文件：1.00669 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.00669 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STD12NF06LT4	文件：323.2 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 60V - 0.08??- 12A - DPAK - IPAK STripFET??II Power MOSFET 文件：323.2 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD12NF06T4	文件：1.00534 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.00534 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Package：
IPAK
Grade：
Industrial
VDSS(V)：
60
RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)：
0.12
RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：
0.1
Drain Current (Dc)_max(A)：
12
PTOT_max(W)：
30
Qg_typ(nC)：
7.5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多STD12NF06供应商更新时间2025-11-22 13:33:00

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