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STD12N60DM6数据手册ST中文资料规格书
STD12N60DM6规格书详情
描述 Description
该高电压N-沟道功率MOSFET来自MDmesh DM6快速恢复二极管系列。与之前的MDmesh快速恢复二极管相比，DM6兼具超低恢复电荷（Qrr）和超快恢复时间（trr），并且在单位面积的RDS(on)值方面有了极大改进，采用市场上最高效的开关行为之一，适用于要求最苛刻的高效桥式拓扑和ZVS移相转换器。
特性 Features
• 快速恢复体二极管
• 与上一代相比，具有更低的单位面积RDS(on)值
• 低栅极电荷、输入电容和电阻
• 经过100％雪崩测试
• 非常高的dv / dt耐用性
• 稳压保护
技术参数
- 制造商编号
：STD12N60DM6
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.39
- Drain Current (Dc)_max(A)
：10
- PTOT_max(W)
：90
- Qg_typ(nC)
：17
- Features
：Fast recovery diode
- Reverse Recovery Time_typ(ns)
：80
- Qrr_typ(nC)
：288
- Peak Reverse Current_nom(A)
：7.2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
22+ |
NA |
5000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-252-3 |
12700 |
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询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
NA |
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可订货 请确认 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-252-3 |
6000 |
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询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
原厂原包装 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
N/A |
20000 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
25 |
TO-252-3 |
6000 |
原装正品 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
21+ |
DPAK |
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ST(意法) |
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