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STD12N60DM2AG数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

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厂商型号

STD12N60DM2AG

参数属性

STD12N60DM2AG 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V

功能描述

汽车级N沟道600 V、0.370 Ohm典型值、10 A MDmesh DM2功率MOSFET,DPAK封装
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-11 23:01:00

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STD12N60DM2AG规格书详情

描述 Description

This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM2 fast-recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

特性 Features

• AEC-Q101 qualified
• Fast-recovery body diode
• Extremely low gate charge and input capacitance
• Low on-resistance
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt ruggedness
• Zener-protected

简介

STD12N60DM2AG属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的STD12N60DM2AG晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :STD12N60DM2AG

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :DPAK

  • Grade

    :Automotive

  • VDSS(V)

    :600

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.43

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :10

  • PTOT_max(W)

    :110

  • Qg_typ(nC)

    :14.5

  • Features

    :Fast recovery diode

  • Reverse Recovery Time_typ(ns)

    :70

  • Qrr_typ(nC)

    :210

  • Peak Reverse Current_nom(A)

    :5.9

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