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STD12N60DM2AG数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

厂商型号 |
STD12N60DM2AG |
参数属性 | STD12N60DM2AG 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V |
功能描述 | 汽车级N沟道600 V、0.370 Ohm典型值、10 A MDmesh DM2功率MOSFET,DPAK封装 |
封装外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
制造商 | ST STMicroelectronics |
中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-11 23:01:00 |
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STD12N60DM2AG规格书详情
描述 Description
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM2 fast-recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
特性 Features
• AEC-Q101 qualified
• Fast-recovery body diode
• Extremely low gate charge and input capacitance
• Low on-resistance
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt ruggedness
• Zener-protected
简介
STD12N60DM2AG属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的STD12N60DM2AG晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 制造商编号
:STD12N60DM2AG
- 生产厂家
:ST
- Package
:DPAK
- Grade
:Automotive
- VDSS(V)
:600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
:0.43
- Drain Current (Dc)_max(A)
:10
- PTOT_max(W)
:110
- Qg_typ(nC)
:14.5
- Features
:Fast recovery diode
- Reverse Recovery Time_typ(ns)
:70
- Qrr_typ(nC)
:210
- Peak Reverse Current_nom(A)
:5.9
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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ST/意法半导体 |
22+ |
TO-252-3 |
10000 |
只有原装,原装,假一罚十 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
TO-252-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST |
2511 |
DPAK |
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STMicroelectronics |
21+ |
D-PAK(TO-252) |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
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ST |
25+ |
DPAK |
16900 |
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询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
NA |
25630 |
原装正品 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
N/A |
13000 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 |