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STD12N60DM2AG	文件：559.11 Kbytes Page：15 Pages	Automotive-grade N-channel 600 V, 380 m typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package Features •AEC-Q101qualified •Fast-recoverybodydiode •Extremelylowgatechargeandinputcapacitance •Lowon-resistance •100avalanchetested •Extremelyhighdv/dtruggedness •Zener-protected Description Thishigh-voltageN-channelPowerMOSFETispartoftheMDmeshDM2fastre	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD12N60DM2AG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STB12N60DM2AG	文件：422.14 Kbytes Page：15 Pages	Automotive-gradeN-channel600V,380mtyp.,10AMDmeshDM2PowerMOSFETinaD²PAKpackage Features •AEC-Q101qualified •Fast-recoverybodydiode •Extremelylowgatechargeandinputcapacitance •Lowon-resistance •100avalanchetested •Extremelyhighdv/dtruggedness •Zener-protected Description Thishigh-voltageN-channelPowerMOSFETispartoftheMDmeshDM2fastre	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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Automotive-grade N-channel 600 V, 380 m typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

Features •AEC-Q101qualified •Fast-recoverybodydiode •Extremelylowgatechargeandinputcapacitance •Lowon-resistance •100avalanchetested •Extremelyhighdv/dtruggedness •Zener-protected Description Thishigh-voltageN-channelPowerMOSFETispartoftheMDmeshDM2fastre

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Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V

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产品属性

产品编号：
STD12N60DM2AG
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
包装：
管件
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
D-PAK（TO-252）
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
描述：
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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