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STD12N60DM2AG分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料

STD12N60DM2AG
厂商型号

STD12N60DM2AG

参数属性

STD12N60DM2AG 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V

功能描述

Automotive-grade N-channel 600 V, 380 m typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

文件大小

559.11 Kbytes

页面数量

15

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-27 23:01:00

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STD12N60DM2AG规格书详情

STD12N60DM2AG属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由意法半导体集团制造生产的STD12N60DM2AG晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

Features

• AEC-Q101 qualified

• Fast-recovery body diode

• Extremely low gate charge and input capacitance

• Low on-resistance

• 100 avalanche tested

• Extremely high dv/dt ruggedness

• Zener-protected

Description

This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM2 fastrecovery

diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined

with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency

converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Applications

• Switching applications

产品属性

更多
  • 产品编号:

    STD12N60DM2AG

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 包装:

    管件

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 供应商器件封装:

    D-PAK(TO-252)

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 描述:

    AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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