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STD12N60DM6

N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package

该高电压N-沟道功率MOSFET来自MDmesh DM6快速恢复二极管系列。与之前的MDmesh快速恢复二极管相比,DM6兼具超低恢复电荷(Qrr)和超快恢复时间(trr),并且在单位面积的RDS(on)值方面有了极大改进,采用市场上最高效的开关行为之一,适用于要求最苛刻的高效桥式拓扑和ZVS移相转换器。 • 快速恢复体二极管 \n• 与上一代相比,具有更低的单位面积RDS(on)值 \n• 低栅极电荷、输入电容和电阻 \n• 经过100%雪崩测试 \n• 非常高的dv / dt耐用性 \n• 稳压保护;

ST

意法半导体

STD12N60DM6

丝印:12N60DM6;Package:DPAK;N-channel 600 V, 345 m廓 typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package

文件:326.86 Kbytes 页数:15 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STD13NM60N

ST
TO-252

ST

STD140N6F7

ST
TO-252-3

ST

STD1501

ST
SOP-8

ST

技术参数

  • Package:

    DPAK

  • Grade:

    Industrial

  • VDSS(V):

    600

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω):

    0.39

  • Drain Current (Dc)_max(A):

    10

  • PTOT_max(W):

    90

  • Qg_typ(nC):

    17

  • Features:

    Fast recovery diode

  • Reverse Recovery Time_typ(ns):

    80

  • Qrr_typ(nC):

    288

  • Peak Reverse Current_nom(A):

    7.2

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更多STD12N60DM6供应商 更新时间2025-10-5 16:12:00