丝印：DPAK；Package：TO-252；Isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：195.95 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

N-channel 60 V, 3.1 m(ohm) typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package

文件：678.28 Kbytes 页数：13 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

Six-step brushless motor driver evaluation board for applications based on the STSPIN32F0B BLDC controller

文件：4.50929 Mbytes 页数：8 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STSPIN32F0A advanced 3-phase BLDC driver with embedded STM32 MCU single shunt evaluation board

文件：2.69666 Mbytes 页数：7 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N沟道60 V、0.0031 Ohm典型值、80 A STripFET F7功率MOSFET，DPAK封装

该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。 • 处于市面上最低的RDS(on) 行列 \n• 出色的品质因数（FoM） \n• 较低的 Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力 \n• 坚固的抗雪崩能力;

ST

意法半导体