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STD140N6F7数据手册ST中文资料规格书
STD140N6F7规格书详情
描述 Description
该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
特性 Features
• 处于市面上最低的RDS(on) 行列
• 出色的品质因数（FoM）
• 较低的 Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
• 坚固的抗雪崩能力
技术参数
- 制造商编号
：STD140N6F7
- 生产厂家
：ST
- Package
：DPAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：60
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0038
- Drain Current (Dc)_max(A)
：80
- PTOT_max(W)
：134
- Qg_typ(nC)
：55
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
25+ |
TO-252 |
20300 |
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询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
5543 |
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询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
SOT-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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ST/意法 |
24+ |
TO-252-3 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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24+ |
TO-252 |
20000 |
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ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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ST |
24+/25+ |
TO-252 |
50000 |
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ST |
1822+ |
TO-252 |
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ST |
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ST |
18+;17+ |
SOT-252 |
2500 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 |
