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STD130N6F7数据手册ST中文资料规格书
STD130N6F7规格书详情
描述 Description
该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。
特性 Features
• 处于市面上最低的 RDS(on) 行列
• 出色的品质因数(FoM)
• 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
• 坚固的抗雪崩能力
技术参数
- 制造商编号
:STD130N6F7
- 生产厂家
:ST
- Package
:DPAK
- Grade
:Industrial
- VDSS(V)
:60
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
:0.005
- Drain Current (Dc)_max(A)
:80
- PTOT_max(W)
:134
- Qg_typ(nC)
:45
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
原装 |
25+ |
TO-252 |
20300 |
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ST(意法) |
24+ |
NA/ |
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ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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ST |
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TO-252 |
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ST |
1932+ |
TO-252 |
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ST/意法半导体 |
22+ |
DPAK-3 |
10000 |
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ST |
23+ |
DPAK-3 |
12700 |
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ST/意法半导体 |
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DPAK-3 |
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DPAK |
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ST |
24+ |
DPAK-3 |
30000 |
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