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| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
STD130N6F7 | N沟道60 V、4.2 mOhm典型值、80 A STripFET F7功率MOSFET，DPAK封装 该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。 • 处于市面上最低的 RDS(on) 行列 \n• 出色的品质因数（FoM） \n• 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力 \n• 坚固的抗雪崩能力; | ST 意法半导体 | ST | |
STD130N6F7 | 丝印：DPAK；Package：TO-252；Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：305.87 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
High avalanche ruggedness 文件：662.62 Kbytes 页数：14 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：321.18 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
High avalanche ruggedness 文件：291.09 Kbytes 页数：12 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS |
技术参数
- Package：
DPAK
- Grade：
Industrial
- VDSS(V)：
60
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：
0.005
- Drain Current (Dc)_max(A)：
80
- PTOT_max(W)：
134
- Qg_typ(nC)：
45
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
原装 |
25+ |
TO-252 |
20300 |
原装特价STD130N6F7即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ST |
21+ |
DPAK-3 |
10000 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
22+ |
DPAK-3 |
6000 |
原装正品现货 可开增值税发票 |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
25+ |
N/A |
18798 |
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STMicroelectronics |
21+ |
DPAK |
2500 |
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ST |
2447 |
SMD |
100500 |
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STM |
25+ |
TO-252 |
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ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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22+ |
NA |
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ST |
25+ |
DPAK-3 |
30000 |
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更新时间2026-4-19 14:14:00
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