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STD12N06L | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 0.115 Ω ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C ■ LOW GATE CHARGE ■ LOGIC LEVEL COMPATIBLE INPUT ■ 175oC OPERATING TEMPERATURE ■ APPLICATION ORIENTED CH 文件:176.25 Kbytes 页数:10 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 0.115 Ω ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C ■ LOW GATE CHARGE ■ LOGIC LEVEL COMPATIBLE INPUT ■ 175oC OPERATING TEMPERATURE FOR STANDARD PACKAGE ■ APPLIC 文件:180.64 Kbytes 页数:10 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | ||
60V N-Channel DTMOS 文件:693.73 Kbytes 页数:7 Pages | WUMC 紫光国微 | WUMC | ||
60V N-Channel DTMOS 文件:675.97 Kbytes 页数:7 Pages | WUMC 紫光国微 | WUMC |
详细参数
- 型号:
STD12N06L
- 功能描述:
MOSFET TO-251 N-CH 60V 12A
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST |
05+ |
TO-252 |
8000 |
原装进口 |
询价 | ||
SGSTHOMSON |
24+ |
原装进口原厂原包接受订货 |
1057 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-252 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-251/252 |
6430 |
原装现货/欢迎来电咨询 |
询价 | ||
ST |
1709+ |
TO-252/D-PAK |
32500 |
普通 |
询价 | ||
ST/意法 |
2022+ |
TO-252 |
15122 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
ST |
25+ |
TO-252 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-252 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 | ||
ST/意法 |
20+ |
TO-252 |
32500 |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO252 |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 |
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