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STD14NM50N	文件：1.31186 Mbytes Page：26 Pages	N-channel 500 V, 0.28 廓 typ., 12 A MDmesh??II Power MOSFET in D짼PAK, DPAK, TO-220FP, I짼PAK and TO-220 packages Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETdevelopedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesaverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitabl	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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STD14NM50N	文件：308.18 Kbytes Page：2 Pages	Marking：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel Mosfet Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STD14NM50NAG	文件：645.05 Kbytes Page：16 Pages	Automotive-grade N-channel 500 V, 0.285 typ., 12 A MDmeshTM II Power MOSFET in a DPAK package Features •AEC-Q101qualified •100avalanchetested •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETdevelopedusingthesecondgeneration ofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesavertical	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STF14NM50N	文件：294.24 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMosfetTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STF14NM50N	文件：1.31186 Mbytes Page：26 Pages	N-channel500V,0.28廓typ.,12AMDmesh??IIPowerMOSFETinD짼PAK,DPAK,TO-220FP,I짼PAKandTO-220packages Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETdevelopedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesaverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitabl	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STI14NM50N	文件：1.31186 Mbytes Page：26 Pages	N-channel500V,0.28廓typ.,12AMDmesh??IIPowerMOSFETinD짼PAK,DPAK,TO-220FP,I짼PAKandTO-220packages Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETdevelopedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesaverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitabl	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STI14NM50N	文件：342.02 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMosfetTransistor •FEATURES •DrainCurrentID=12A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STP14NM50N	文件：1.31186 Mbytes Page：26 Pages	N-channel500V,0.28廓typ.,12AMDmesh??IIPowerMOSFETinD짼PAK,DPAK,TO-220FP,I짼PAKandTO-220packages Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETdevelopedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesaverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitabl	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP14NM50N	文件：303.88 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMosfetTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
STD14NM50N
功能描述：
MOSFET N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多STD14NM50N供应商更新时间2025-5-14 14:10:00

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