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STD150N3LLH6	文件：1.07692 Mbytes Page：5 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS= 30V, ID= 150A RDS(ON) 文件：1.07692 Mbytes 页数：5 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
STD150N3LLH6	文件：948.85 Kbytes Page：16 Pages	N-channel 30 V, 0.0024 ohm , 80 A, DPAK, IPAK, TO-220 文件：948.85 Kbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD150N3LLH6	文件：1.864 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology 文件：1.864 Mbytes 页数：7 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
STD150N3LLH6	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel 30 V, 0.0024 Ohm, 80 A, DPAK Power MOSFET • RDS(on) * Qg industry benchmark\n• High avalanche ruggedness• Extremely low on-resistance RDS(on)\n• Low gate drive power losses Application;	ST 意法半导体	ST

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深圳市益百分电子有限公司	STD150N3LLH6	ST	12+	TO-252	4200	原装现货价格有优势量多可发货	询价
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更多STD150N3LLH6供应商更新时间2025-10-4 14:14:00