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STD116GK18	文件：248.58 Kbytes Page：4 Pages	Thyristor-Diode Modules 文件：248.58 Kbytes 页数：4 Pages	SIRECTIFIER 矽莱克电子	SIRECTIFIER
STD116GK18	文件：1.72485 Mbytes Page：4 Pages	Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules 文件：1.72485 Mbytes 页数：4 Pages	SIRECT 矽莱克半导体	SIRECT
STD116GK18	文件：500.05 Kbytes Page：4 Pages	Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules 文件：500.05 Kbytes 页数：4 Pages	SIRECTIFIER 矽莱克电子	SIRECTIFIER
STD116GK18B	文件：473.18 Kbytes Page：4 Pages	Thyristor-Diode Modules 文件：473.18 Kbytes 页数：4 Pages	SIRECTIFIER 矽莱克电子	SIRECTIFIER
STD116GKXX	文件：248.58 Kbytes Page：4 Pages	Thyristor-Diode Modules 文件：248.58 Kbytes 页数：4 Pages	SIRECTIFIER 矽莱克电子	SIRECTIFIER
STD116GKXXB	文件：473.18 Kbytes Page：4 Pages	Thyristor-Diode Modules 文件：473.18 Kbytes 页数：4 Pages	SIRECTIFIER 矽莱克电子	SIRECTIFIER
STD11N50M2	文件：991.8 Kbytes Page：19 Pages	Low gate input resistance 文件：991.8 Kbytes 页数：19 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD11N60DM2	文件：822.24 Kbytes Page：15 Pages	N-channel 600 V, 0.370 (ohm) typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package 文件：822.24 Kbytes 页数：15 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD11N60M2-EP	文件：807.13 Kbytes Page：16 Pages	N-channel 600 V, 0.550 (ohm) typ., 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package 文件：807.13 Kbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD11N65M5	文件：306.09 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：306.09 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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技术参数

Package：
DPAK
Grade：
Industrial
VDSS(V)：
650
RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：
0.68
Drain Current (Dc)_max(A)：
7
PTOT_max(W)：
85
Qg_typ(nC)：
12.5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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