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STD11N60M2-EP	文件：807.13 Kbytes Page：16 Pages	N-channel 600 V, 0.550 (ohm) typ., 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STF11N60M2-EP	文件：305.39 Kbytes Page：14 Pages	N-channel600V,0.550typ.,7.5AMDmesh™M2EPPowerMOSFETinaTO-220FPpackage Features •Extremelylowgatecharge •Excellentoutputcapacitance(COSS)profile •Verylowturn-offswitchinglosses •100avalanchetested •Zener-protected Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETdevelopedusingMDmesh™ M2enhancedperformance(EP)technology.Thanksto	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STFI11N60M2-EP	文件：303.63 Kbytes Page：13 Pages	N-channel600V,0.550Ωtyp.,7.5AMDmesh™M2EPPowerMOSFETinanI²PAKFPpackage Features •Extremelylowgatecharge •Excellentoutputcapacitance(COSS)profile •Verylowturn-offswitchinglosses •100avalanchetested •Zener-protected Applications •Switchingapplications Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETdevelopedusingMDmesh™ M2enhan	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STL11N60M2-EP	文件：618.25 Kbytes Page：15 Pages	N-channel600V,0.600Ωtyp.,5.5AMDmesh™M2EPPowerMOSFETinaPowerFLAT™5x6HVpackage Features •Extremelylowgatecharge •Excellentoutputcapacitance(COSS)profile •Verylowturn-offswitchinglosses •100avalanchetested •Zener-protected Applications •Switchingapplications Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETdevelopedusingMDmesh™ M2enhan	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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