SSM6P36TU中文资料Small Low ON resistance MOSFETs数据手册Toshiba规格书
SSM6P36TU规格书详情
描述 Description
Polarity:P-ch×2
Generation:U-MOSⅢ
Internal Connection:Independent
Component Product (Q1):SSM3J36MFV
Component Product (Q2):SSM3J36MFV
AEC-Q101:Conform(*)
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本 / 泰国
特性 Features
Drain current (Q1) ID -0.33 A
Drain-Source voltage (Q1) VDSS -20 V
Gate-Source voltage (Q1) VGSS +/-8 V
Drain current (Q2) ID -0.33 A
Drain-Source voltage (Q2) VDSS -20 V
Gate-Source voltage (Q2) VGSS +/-8 V
Power Dissipation PD 0.5 W
技术参数
- 制造商编号
:SSM6P36TU
- 生产厂家
:Toshiba
- Package name(Toshiba)
:UF6
- Width×Length×Height(mm)
:2.0 x 2.1 x 0.7
- AEC-Q101
:Qualified(*)
- Polarity
:P-ch x 2
- VDSS(V)
:-20
- ID(A)
:-0.33
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V
:1.31
- Qg(nC)
:1.2
- Tch(℃)
:150
- Drive voltage type
:Low Voltage Gate Drive
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
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UF6 |
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Toshiba |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA |
2025+ |
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NK/南科功率 |
2025+ |
SOT-363 |
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国产 |
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