Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages

TOSHIBA

东芝

Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode DC-DC Converter

文件：268.9 Kbytes 页数：10 Pages

TOSHIBA

东芝

Multi-chip discrete device (N-ch + SBD)

Generation：π-MOSⅣ\nInternal Connection：Independent\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available Drain current (Q1) ID 1.2 A \nQ2 Average Forward Current IO 500 mA \nDrain-Source voltage (Q1) VDSS 20 V \nQ2 Reverse Voltage VR 12 V ;

Toshiba

东芝

SOT23-6

TOSHIBA

东芝

上传：深圳市旺财半导体有限公司

UDFN6B

TOSHIBA/东芝

上传：深圳庞田科技有限公司