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SSM6J207FE	文件：182.34 Kbytes Page：5 Pages	High-Speed Switching Applications ○High-SpeedSwitchingApplications •4Vdrive •LowON-resistance:Ron=491mΩ(max)(@VGS=−4V) Ron=251mΩ(max)(@VGS=−10V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
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SSM6J207FE

文件：182.34 Kbytes

Page：5 Pages

High-Speed Switching Applications

○High-SpeedSwitchingApplications •4Vdrive •LowON-resistance:Ron=491mΩ(max)(@VGS=−4V) Ron=251mΩ(max)(@VGS=−10V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

SSM6J207FE

文件：1.58274 Mbytes

Page：73 Pages

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

SSM6J207FE_14

文件：211.49 Kbytes

Page：5 Pages

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

详细参数

型号：
SSM6J207FE
功能描述：
MOSFET INCORRECT MOUSER P/N 6Pin
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市创新迹电子有限公司	SSM6J207FE	TOSHIBA/东芝	2021+	SOT-563-6	9000	原装现货,随时欢迎询价	询价
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更多SSM6J207FE供应商更新时间2025-7-24 14:00:00

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