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IRFB18N50KPBF	文件：176.62 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFB18N50KPBF	文件：2.68732 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET 1.LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement 2.ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness 3.FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent 4.LowRDS(on) 5.Lead(Pb)-freeAvailable	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFB18N50KPBF	文件：173.46 Kbytes Page：8 Pages	SMPSMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFB18N50KPBF	文件：165.06 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IXFH18N50	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXZR18N50	文件：166.34 Kbytes Page：4 Pages	Z-MOSRFPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXZR18N50A	文件：166.34 Kbytes Page：4 Pages	Z-MOSRFPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXZR18N50B	文件：166.34 Kbytes Page：4 Pages	Z-MOSRFPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
JCS18N50FH	文件：1.19829 Mbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.	JSMC
JCS18N50FH-O-F-N-B	文件：1.19829 Mbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.	JSMC
JCS18N50FH-R-F-N-B	文件：1.19829 Mbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.	JSMC
JCS18N50WH	文件：1.17361 Mbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.	JSMC
JCS18N50WH-O-W-N-B	文件：1.17361 Mbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.	JSMC
JMP18N50A	文件：261.068 Kbytes Page：7 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江苏捷捷微电子股份有限公司 PDF上传者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
KIA18N50HF	文件：154.149 Kbytes Page：5 Pages	商品目录MOS(场效应管) 连续漏极电流（Id）（25°C时）18A(Tc) 漏源电压（Vdss）500V 栅源极阈值电压5V@250uA 漏源导通电阻320mΩ@9A,10V 类型N沟道最大功率耗散（Ta）38.5W(Tc)	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司	KIA
MDF18N50	文件：832.23 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET500V,18A,0.27(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF18N50B	文件：1.25029 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET500V,18.0A,0.27(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF18N50BTH	文件：1.25029 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET500V,18.0A,0.27(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF18N50TH	文件：832.23 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET500V,18A,0.27(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP18N50	文件：1.12604 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET500V,18.0A,0.27(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP

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详细参数

型号：
SIHFB18N50K
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Power MOSFET

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详细参数

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