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IRFB18N50KPBF中文资料PDF规格书

IRFB18N50KPBF
厂商型号

IRFB18N50KPBF

功能描述

Power MOSFET

文件大小

2.68732 Mbytes

页面数量

7

生产厂商 Kersemi Electronic Co., Ltd.
企业简称

KERSEMI

中文名称

Kersemi Electronic Co., Ltd.官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-22 23:00:00

IRFB18N50KPBF规格书详情

1. Low Gate Charge QgResults in Simple Drive Requirement

2. Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness

3. Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current

4. Low RDS(on)

5. Lead (Pb)-free Available

产品属性

  • 型号:

    IRFB18N50KPBF

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 500V 17 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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